比利時（shí）微電子研究中心（IMEC）是世界上納米微電子和（hé）納米（mǐ）技術（shù）領先研究單位之一,其研（yán）究方向集中（zhōng）在下一代芯片、係統和智能環境技術（shù）上。在半導體技術方麵，IMEC擁有先（xiān）進CMOS技術（shù）、 III-V和有機半導體（tǐ）平台。根據IMEC所（suǒ）確定的發展戰略,2003-2005年研發45納米CMOS技術,2005-2007年研發32納米微電子技術（shù）。IMEC的納米研究包括納（nà）米CMOS和納米電（diàn）子新裝置、從微電子機械係統（tǒng）向納米電（diàn）子機械係統過渡、開發納米材料和（hé）納米成型技術、使用和改善納米（mǐ）掃描探頭、界麵功能確定、自行組裝、分子（zǐ）內部連接和分（fèn）子電子、研究（jiū）生物標本與固體裝置之間界麵的化學和電子特性、自裝分子層信（xìn）號傳輸等。目前IMEC正（zhèng）在研究把電子旋轉技術與（yǔ）矽（guī）電子結合起來。 193納米浸入光刻技術是實現45納米以下COMS關鍵技術。浸入光刻是指在曝光鏡頭和矽（guī）片之間充（chōng）滿水而不是（shì）空氣。對於193納米光刻來說,水是最佳液體。但浸入光（guāng）刻技術仍有很多不確定性（xìng）,如對置於水（shuǐ）中的矽片和光刻性（xìng）能帶來的影響,磨料中水吸（xī）附如何進行CD控製、模樣（yàng）外形控製等。 在半導體工業中使用浸入光刻技（jì）術已引起廣泛注意,人們預測193納米浸入光刻技術將取代157納米光刻技術成為45納米以下半（bàn）導體生（shēng）產新一代光刻技術。從1998年開始（shǐ），IMEC與日（rì）本東（dōng）京電子有限公司（TEL）合作（zuò）開發（fā）193納米光刻技術。 IMEC為加速45納米以下微電（diàn）子技術的開發, 與世（shì）界10大設備供應商確定協議，協議的簽署（shǔ）使得IMEC能在最先進的設備條件（jiàn）下進行研究與開（kāi）發。在193納米浸入光刻技術方麵,IMEC與世界上30個芯片製造商、工具供應商和軟件（jiàn）供應商等組成合了作聯盟。該聯盟中IMEC的合作夥伴ASML公司的 TWINSCANtm XT:1250i是目前世界上浸入工具(0.85)含量最高裝置。IMEC 將使用該工（gōng）具（jù）進行曝光, 印刷新密度為7ONM,聚焦深度為0.7μM。雙方希望通過合作加速光刻技術從幹法向濕法的過渡,早日實現193浸入光刻技術的工業化應用。