近日，由半導體所半導體超晶格國家重點實驗室牛（niú）智川研究員承擔的GaAs基近紅外（wài）波段半導體光電子材料（liào）生長和激光器研究項目獲得重要突破。 目前光通訊波段用的材料主要（yào）集（jí）中在以InP為基片的GaInAsP和GaAlInAs體係，這種材料係在（zài）與波分複用(WDM)技術相關的（de）發射、調製、放大、波導、接收等以單元器（qì）件為基礎的（de）小規模集成係統上，取（qǔ）得了成功，促進了光（guāng）網絡、特別是光傳輸網絡的發展。而InP基材（cái）料也存在難（nán）以克服的缺點，因此，發展適於通訊波段（duàn）的GaAs基新材料體係十分必要。 未來的光纖網絡必須依靠（kào）各種（zhǒng）光子集成（chéng）功能器件來支撐，隻有集成才能帶來速率的提高、功能的擴展、性能的優（yōu）化及高（gāo）度的可靠與穩定性，半導體材料光子集成技術因此成為國際學術界和（hé）產業（yè）界研發的熱點（diǎn）。近年來，歐、美、日等發（fā）達國家在GaAs基長（zhǎng）波長（zhǎng）材料研究方麵投入大量人力物力。在（zài）InAs量子點、GaInNAs量子阱（jǐng）材料和器件方麵不斷取得進展（zhǎn）。 在國內，中科院半導體研究所充分意識到這方（fāng）麵的研究工作不（bú）僅具（jù）有重要的（de）學術價值，更有廣泛的市場應用前景，為使我（wǒ）們國（guó）家在這一領域掌（zhǎng）握（wò）獨立知識產權，在科學研究和技術開發的激烈的國際競爭中立於不敗之地，自上世紀90年代末期開始在這方麵開始了一（yī）係列（liè）研究工作。成立了由牛智川研究（jiū）員領導的聯合課題組，課題組成員由半導體超晶格國家重點實（shí）驗室（shì）和國家光電子工藝中心分子束外延（yán）組構成。經過刻苦（kǔ）努力，課題組在GaAs基近紅外波段半導體光電子材（cái）料生長和激光器研究項目不斷獲得重要突破。在2000年（nián）之前的初始（shǐ）階段，他們首先掌握了InAs量子點的分子束外延生長新技術，並開發了工作波長0.9-1.1微米激光器。第二階（jiē）段至2002年，成功獲（huò）得（dé）1.3微米量子點生長（zhǎng）技術，並突破（pò）性提（tí）高長波（bō）長量子點均勻性，室溫發光效率（lǜ）大幅度提高，研究結果創國際（jì）紀錄而受到國際關注。第三階段在（zài）最近（jìn）的兩年裏，成功突破了長波長高密（mì）度量子點的生長難題，製備（bèi）出GaAs基InAs自組織量子點邊（biān）發射激光器，激射波長1.33微米（mǐ），實現室（shì）溫連續工作。這是迄今（jīn）為止國內首次成（chéng）功製備GaAs基長波長激光（guāng）器。是GaAs基近紅外（wài）材料（liào）在激光器、探測器等器件中得到推（tuī）廣應用（yòng）的（de）最重要進展。其（qí）中關（guān）鍵性突破在於他們掌握（wò）了（le）長波長高密度量子點的生長這一（yī）核心技術，同時還開（kāi）發和優化（huà）了新型GaAs基長（zhǎng）波長激光器新工藝。 這一科研成果成為我國在國際競爭日益（yì）激烈的光通訊用新一代GaAs基（jī）長波長光電子材料和器件研究領域（yù）的新（xīn）突破，有望在不（bú）遠（yuǎn）的時間裏進一步開（kāi）發成功麵向實用化的光（guāng）電子器件。