近（jìn）日，美國美（měi）光半導體國際有限公司封裝測試項目獲國家發展改革委核準，由該公司在西安高新技術（shù）產業開發區設立的（de）外（wài）商獨資企業建設經營。項目分（fèn）兩期建設。一期（qī）工程（chéng）建成後，生產能（néng）力為非標準DRAM芯片（piàn）1億（yì）片/年、閃存5000萬（wàn）塊（kuài）/年、CMOCS影像傳感器1000萬塊/年、DRAM模塊300萬塊/年；二期工程建（jiàn）成後，新增標準DRAM芯片2.37億片/年的封（fēng）裝測試能力。項目總投資2.5億美元。項目經營期限50年。