中國科學院半導體研究所半導體材料科學重點（diǎn）實驗室（shì）、低維半導體（tǐ）材料與器件北京市重點實驗室，在科技部、國家自然科（kē）學基金委及中科院等項目的支持下，經（jīng）過努力（lì）探索，製備成功太赫茲（zī）量（liàng）子級（jí）聯激（jī）光器係列產品。

　　太赫茲(THz)量子級聯激光器是一（yī）種通過在半導體異質結構材料（liào）的導帶中形成電子的受激光學躍遷而產生（shēng）相幹極化THz輻射（shè）的新型太赫茲光源。半導體材料科學重點實驗室經過多年的基礎研究和技術開發，目前推（tuī）出係列太赫茲量子級聯激光器產品。頻率覆（fù）蓋2.9~3.3 THz，工作溫度10~90 K，功率（lǜ）5~120mW。

　　太赫茲波介於中（zhōng）紅外和（hé）微波（bō）之間，是一（yī）種安全的具有非離化特征的電磁波（bō）。它能夠穿透大多數非導電材料同時又是許（xǔ）多分子（zǐ）光學吸收的特征（zhēng）指紋光譜範圍。它的光子能量低(1 THz對應（yīng）的（de）能量大（dà）約4meV)，穿透（tòu）生物組織時不會產生有害的光電離和破（pò）壞，在應用到對生物組織的（de）活體檢（jiǎn）驗時，比X光更具優勢。它的波長比微波短，能夠被用於更高分辨率成像。THz波在分子指（zhǐ）紋探測、診斷成像、安全反（fǎn）恐、寬帶通訊、天文（wén）研究等（děng）方麵具有重（chóng）大的科學價值和廣闊的應用（yòng）前景。

圖為半導體研（yán）究所製備成功太赫（hè）茲量子級聯激光器係列產品