據物理學家組織網近日（rì）報道，瑞士洛桑聯邦理工（gōng）學院的科學家通過將石墨烯和輝鉬礦（分子（zǐ）式為MoS2）兩種（zhǒng）具有優越電性能的材料相結合（hé），製（zhì）成了新型閃存的（de）原型，在性能、尺寸、柔性和能耗等方麵都很具（jù）前景。相（xiàng）關研究報告發表在近期出版的《美國化學學會?納米》雜誌上。

      輝鉬礦在自然界的儲（chǔ）量十分豐富。兩年前（qián），該校納米電子學與結構實驗（yàn）室的研（yán）究人員揭示了這種礦（kuàng）物卓越的（de）電（diàn）子特性（xìng）。數月後（hòu），他們又闡釋了構建高效輝鉬礦芯片的可能性。在輝鉬礦芯片誕（dàn）生之後，輝鉬礦閃存（cún）也相繼麵世。這是此（cǐ）種新材料在電子工業領域應用的重要一步。

      此次，科學家更是獨出（chū）心裁，將輝鉬礦獨特的（de）電子特性與石（shí）墨烯優異（yì）的傳導性相結合，構建了新型閃存的原型。它不僅能夠儲存數（shù）據，即使是在缺（quē）乏電力的情況下，其仍能保持數據的正（zhèng）常存儲。這種存儲器對於照相機、手機、筆記本電（diàn）腦和打印機（jī）等電子設備而言，可謂是理想的“能量帶”。

      新晶體管（guǎn）閃（shǎn）存原型在設計中借鑒了“場效應”幾何學，其與三明治結構近似：位（wèi）於中間的輝鉬礦薄（báo）層能夠（gòu）輸送電子，底部由石墨烯製成的電極會將（jiāng）電力傳送至（zhì）輝（huī）鉬礦層（céng），而上方也將包含由石墨烯組成（chéng）的元件，這有助於電荷的捕獲和數據存儲的（de）實現。

      事實上（shàng），石（shí）墨烯和輝鉬礦（kuàng）有很多共性。兩（liǎng）者都（dōu）具有超越現存矽芯片和電子晶體管物（wù）理限製的潛力。每層化學結構僅有單個原子厚度，也賦予了它（tā）們（men）機械柔性和微型化的巨大潛能。雖然石墨烯是（shì）很好的導體，但輝鉬礦的半導體性質卻很優越。輝鉬礦的電子結構中具有理想的“能量帶”，而石墨烯則沒有。這允許它能輕易地在“開啟”和“關閉”狀態中轉換（huàn），並因此能減少（shǎo）用電量。

      科研人員表示，將這兩種材料相結合能使他們（men）在微型（xíng）化方（fāng）麵（miàn）取得顯著進展，而使用（yòng）這種晶體管也將為製成更具柔（róu）性的納米電子器件提供幫助。目前該閃存隻能儲存少量數（shù）據，但由於輝鉬礦比矽更薄，因此對電荷也更加（jiā）敏感，這將為實現更高效的數據存儲提供巨大可能性。