澳大利亞科學家研製出一種由氧化鉬晶體製成的新型二維納米材料，有可能給（gěi）電子（zǐ）工業帶來革命（mìng），使（shǐ）“納米”一詞不再停留（liú）於營銷概念而成為現實。

      在材料學中，厚度為納米量級的晶體薄膜通常被（bèi）視作二維的，即隻有長寬，厚度可忽略（luè）不計，稱為（wéi）二維納米（mǐ）材料。新研製出的這種材料厚度僅有11納米，它有著獨特的性質，電子在（zài）其（qí）內部能以極高（gāo）速（sù）度運動。

      科學家說（shuō），他們是從另一種奇妙的新材料??石墨烯（xī）得到啟發的。石墨烯是單層碳原子網，是人類已知的最薄材料，電子在其中也能高速運動。但石墨烯缺乏（fá）能隙，用（yòng）它製造的晶體管無法實現電流開關。氧化（huà）鉬材料本身擁有能隙（xì），將它製成（chéng）類似石墨烯的薄片後，既支持電子高速運動，其半導體特性（xìng）又適合製造晶體管。

      科學（xué）家說，在新材料內部，電子極少因（yīn）為遇到“路障”而散射，可以流暢地（dì）迅速運動（dòng）。利用這種新材料可研製出更小、數據傳輸速度更快的電子元（yuán）件和產品，例如性能與台式電腦（nǎo）相當的平板電腦。

      電子產品的（de）性能取決於（yú）半（bàn）導體集成能力，在過（guò）去幾十年裏，技術進（jìn）步使晶體（tǐ）管體積大大（dà）縮小，矽芯片性能提高了成千上萬倍，帶來了信息技術（shù）革命。但受限於矽材料本身的性質，傳統半導體技術（shù）已經（jīng）趨近極限。科（kē）學家正（zhèng）在積極尋找（zhǎo）新一代半導體（tǐ）核心材料。

      研究小組已經（jīng）用新（xīn）材料（liào）製（zhì）造出納米尺度的晶（jīng）體管。他們預計，如果（guǒ）被電（diàn）子工業所接受，氧化鉬有可能在5到7年內成為電子產品的標準材料。

      這項研究主要是由澳大利亞聯邦科學與工業研究組（zǔ）織和皇家墨爾本理（lǐ）工大（dà）學的科學家（jiā）合作完成的，相關論文（wén）發表在（zài）4日的《先進材料》雜誌上。