記者日前從中（zhōng）科院蘇州納米所獲（huò）悉，該所成功研製出在室溫下工（gōng）作（zuò）的太赫茲自混頻探測器，從而填補了該類探測器的國（guó）內空白。

　　據了（le）解，作為人類尚未大規（guī）模使用的一段電磁頻譜資源，太赫茲波有著極為豐富（fù）的電磁波與物質間（jiān）的相互（hù）作用效應，不僅在基礎（chǔ）研究領域，而且在安檢成像、雷達、通信、天文、大氣觀（guān）測和生物醫學等眾多技術領域（yù）有著（zhe）廣闊的（de）應用前景。目前，室溫微（wēi）型的（de）固態太赫茲光源和檢測器技術尚未成熟，眾多太赫茲發射?探測應用還處（chù）於（yú）原理演示（shì）和研（yán）究階段（duàn）。室溫、高速、高（gāo）靈（líng）敏度的固態太赫茲探測器技術是（shì）太赫茲核心器（qì）件研究的重要方向之一。

　　自2009年（nián）起，蘇州納米所秦華、張寶順、吳東岷課題組就致力於太赫茲（zī）波?低維等離子體波相互作（zuò）用及其（qí）調控研究。該（gāi）團隊在2009年年底取得突（tū）破性進展，在GaN/AlGaN高電子遷移率晶（jīng）體管的基礎（chǔ）上（shàng）研製成（chéng）室溫工作的高靈敏度高速太（tài）赫茲探測器，首次實（shí）現了對1000GHz的太赫茲波的靈敏檢測。

　　經過3年多的技（jì）術攻關，研究團隊進一步突破了太（tài）赫茲天線、場效應混（hún）頻和器件模型等關（guān）鍵技術，掌握了完整的場效應自混頻太赫茲探（tàn）測器技術。

　　目（mù）前，蘇州（zhōu）納米所研（yán）製的太赫茲探測器探測頻率達到800～1100GHz，電流響應度大於70mA/W，電壓響應度大於（yú）3.6kV/W，等效噪聲功率小（xiǎo）於40pW/Hz0.5，綜合指（zhǐ）標達到國際上（shàng）商業化的（de）肖特基二（èr）極管檢測器指標，並成功演示了太（tài）赫茲（zī）掃描透視成像和對（duì）快速調製太赫茲波的檢測。

　　據介紹，該項技術可進一步發展成大規模的太（tài）赫茲焦平麵成像陣列和超高靈敏度的外差式太赫茲（zī）接收機技術，為發展我國的太赫茲成像、通信等應用技術提供核（hé）心器件（jiàn）與（yǔ）部件（jiàn）。