據英（yīng）國《自然》雜誌網站7月25日(北京時間)報道，芯片（piàn）製造商英特爾公（gōng）司表示，將向總部設在荷蘭的半導體設備製造商阿斯麥投資41億美元，其中10億美元專門用於極紫外線(EUV)光刻技術的研發，新技（jì）術（shù）有望讓晶體（tǐ）管的大小縮減為原來的1/4。

　　一塊芯片（piàn）能容納的晶體管數量每隔幾年就可以翻番，但這一趨勢（shì）目前似乎已到窮途末路。解決方案之一是借用EUV光刻技術將（jiāng）更（gèng）小的晶體管蝕（shí）刻（kè）在（zài）微芯片上，即用超短波長的光在現有微芯片上製造比目前精細（xì）4倍的圖案。芯片上的集成電路圖（tú）案是通過讓光透過一個遮蔽物照射在一塊塗滿光阻劑的矽晶圓上製成，目前隻能采用深紫外(波長一般約為193納米)光刻（kè）技（jì）術製造出22納米寬的（de）最小圖案。

　　在芯片上蝕刻更小圖案的唯一方式是使用波（bō）長更短的光波（bō）。通（tōng）過將波長縮短到13.5納米，芯（xīn）片上的圖（tú）案可縮小到5納米或更（gèng）小。要想做到這一點，EUV光刻技術麵（miàn）臨著化學、物理和工程學方麵的挑戰，需要對光（guāng）刻係統背後的光學儀器、光阻劑、遮蔽物以及光源進（jìn）行重新思考。有鑒於此，英特（tè）爾公司宣（xuān）布投資41億美元，用於加速450毫米晶圓技術、EUV光刻技術的研發，推動矽半導體（tǐ）工藝的進（jìn）步。

　　幾乎所有的材料(包括空氣（qì）)都會吸收波長短到13.5納米的光，因此，這個過程需要在（zài）真空中進行。而且因為這種光無法由傳統的反（fǎn）射鏡和透鏡所引導（dǎo），需要另外製造專用的反射鏡，但即使（shǐ）這些專用反射鏡也（yě）會吸收很多EUV光，因此，這種光必須非常（cháng）明亮。研究人員解（jiě）釋道，光越暗淡，凝固光阻（zǔ）劑需要的時間也越長，而且因為光刻（kè）技術是（shì）微芯片製造過程中最慢的步驟，所以（yǐ），EUV光源的（de）強度對降低成（chéng）本至關重要。第一代EUV光源（yuán）隻能提供10瓦左右的光，1小時隻夠在10個矽晶圓上做出圖案。而（ér）商業係統必須達到200瓦（wǎ），且（qiě）一小時至少要做出100個圖案。

　　另（lìng）一個（gè）挑戰在於，目前電路一般被（bèi）蝕刻在（zài）300納米寬的矽晶圓上，但英特爾公（gōng）司希（xī）望（wàng）EUV技術能在450納米寬的矽晶圓上進行，這（zhè）樣（yàng）一次做出的電路數量就可以翻番，這（zhè）就需要阿斯麥公司研製出新的製造設（shè）備，英特爾公司希望能在2016年做到這一點。

　　總編輯圈點

　　盡管一塊芯片能容納的晶體（tǐ）管數量每隔（gé）幾年就能翻（fān）番，但將更小的晶體管蝕刻在微芯片上似乎更（gèng）能滿足發（fā）展所（suǒ）需。極紫外線技術或許能給我們帶來驚喜，這種有望讓晶體管“瘦身（shēn）”75%的技術絕（jué）對（duì）值得期待。在重要性方麵可以與印（yìn）刷術、汽車和電話等發明相提並論的晶體管，這朵電子技術之樹（shù）綻放的絢麗多姿的奇葩，或（huò）將因（yīn）此煥發出更加奪目的光彩。4年的等待不算漫長，10億美元的花費卻足夠昂貴，唯願這筆不菲的“減肥”開銷物有所值。