據物理學家組織網（wǎng）4月19日（北京（jīng）時間）報道，美國加州大學伯克（kè）利分校（xiào）和台灣新竹納米（mǐ）元件實驗（yàn）室的研（yán）究人員，利用納米點創建的新電子記憶（yì）體技術，在寫入和擦除數據方（fāng）麵（miàn）比（bǐ）當今主流電荷存儲內存產品要快10至100倍，打破了世界紀錄。相關研究結果發表於最新一期美國物（wù）理協會《應用物理學快報（bào）》。

      該係統在一層非導電材料中（zhōng）嵌入離散（非重（chóng）疊）的矽納米點，每層跨度約3納米。每個納米點的功能相當於一個單獨的存儲位。為了控製內存操作，研究（jiū）人員將這層材料用一層薄薄的金屬覆蓋，形成金屬（shǔ）柵極，以控製晶體管的“開”和“關”狀態。

      該論文合著者之一、台灣新竹納米元件實驗室研究員謝佳民（音譯）說：“金屬柵極結構（gòu）是（shì）向納米互補金屬氧化物半導體（CMOS）內存發展道路上的一個主流技術。新係統使用眾多的離散矽納米點（diǎn）來（lái）進（jìn）行電荷的存儲和刪（shān）除。這些電荷（hé）以一個快速和簡單（dān）的（de）方式進入（數據寫入）和離開（kāi）（數據擦除）許（xǔ）多離散的納米點。”

      研究人員通過使用超短脈衝的綠色（sè）激光有選擇性地激活金屬柵極內存金（jīn）屬層周圍（wéi）的特定區域。由於激光的亞毫秒級的爆發非常簡（jiǎn）單而精確，研究人（rén）員因而能夠（gòu）準確地創建每個納米點的開關。研（yán）究人員解釋說，這種記憶存儲方法相當強大，即使納米區（qū）域中有單個電荷運行失敗，幾（jǐ）乎也不會影響到（dào）其他電荷，由（yóu）此便能建立穩定（dìng）而（ér）長（zhǎng）期的數據存儲平台。

      研究人員說，用（yòng）於相關設備的材料和工藝也與目前主流的集成電路（lù）技術兼容（róng），其（qí）不僅能滿足當前的CMOS工藝生產線，也可應（yīng）用於其他先進設備的結構。顯然，這種係統（tǒng）所具有的創紀（jì）錄速度、低（dī）電壓和超小尺寸的納米點（diǎn）特（tè）性將對現行的電（diàn）子計算機（jī）及其他（tā）電子設備的內存提出挑戰。

    總編輯（jí）圈點

      作為電腦的重（chóng）要組成部分，記（jì）憶體承擔著存儲（chǔ）記憶的重要職責。由於（yú）CPU的執行速度極快（kuài），而硬碟等外部儲存（cún）媒體的讀取速度較慢，為了不讓（ràng）“空等”，便由記憶體當作媒介，先將程式載入記憶體，以確保電腦能在最短時間內（nèi）執行（háng）作業。科技發展日新月異，記憶體的存取速度（dù）也越來（lái）越快，當（dāng）在各大領（lǐng）域（yù）已廣為應（yīng）用（yòng）的納米技術參與其中後，對其效能的提升更（gèng）是無（wú）可比擬。這種新電子記憶體技術給我們帶來的（de）全新應（yīng）用體驗（yàn），絕對值得期（qī）待。