最近，IBM研究人員在瑞士蘇黎世首次展示了多（duō）位相變存儲器技術。
    
      相（xiàng）變存儲器利用各種合金材（cái）料在結晶態（tài）和非結晶態下（xià）電阻由低至高的（de）變化特性，通過不同的電壓和電流脈衝觸發，實現數據存儲。IBM蘇（sū）黎世研究中心的科學家采用先進的調製（zhì）編碼技術，成（chéng）功抑製（zhì）了相變存儲器短期（qī）電（diàn）阻漂移問題，這一問（wèn）題會導致存儲阻力和讀取錯誤。IBM多（duō）位相變存儲技（jì）術滿足每單元存儲多位數據的高存儲容量需求，斷電時存儲數據不丟失，寫入（rù）和檢索數（shù）據速度比目前閃（shǎn）存存儲（chǔ）器快（kuài）100倍，並可持續使用至少1千萬（wàn）次。
  
      IBM多位相（xiàng）變存儲技術的重大突破將為手機、雲存儲以及企業大型數據（jù）存儲提供價廉、快速、耐久的存儲設備。權威人士稱，多位相變存儲技術由於具備（bèi）存儲速（sù）度快、耐久性（xìng）、非易失（shī）性和高密度存儲特征，在（zài）未來5年內將引導IT企業和存（cún）儲（chǔ）係統的（de）重大（dà）革（gé）新，尤其（qí）能夠滿足雲存儲和數據處理需求。