日前，中日科研機構通力合作，采用化學氣相（xiàng）沉積方法，在生長BN納米管的（de）同時實現了F的均（jun1）勻摻雜，獲得了（le）N型的BN半導體納米管（guǎn）。 　　與（yǔ）碳納米管的電子結構明顯依賴於管徑（jìng）與螺旋度等（děng）因素（sù）不（bú）同（tóng），BN納米（mǐ）管通常表現出穩定一致的電學特性。為實（shí）現對F摻雜BN納米管本征物性的研究，研究人員利用電子（zǐ）束光刻與（yǔ）Lift-off微加（jiā）工技術，在分散提純的單根F摻雜BN上製作出（chū）用於輸運性質測量（liàng）的微電極，研究（jiū）了單根F摻雜（zá）BN納米管的電（diàn）導特性，發現F摻雜實現了BN納米（mǐ）管從絕緣體向半導體的轉變，低於（yú）5%的F摻雜濃度使BN納米管的電（diàn）導提高3個數（shù）量級以上（shàng）。 　　研製單位：中國科學（xué）院物理所和日本（běn）物質材料研究機構