氮化（huà）硼(BN)作為寬帶（dài）隙材料具有優異（yì）的物理性質和良（liáng）好的（de）化學惰性，是（shì）製作（zuò）高（gāo）可靠性器件與電路的理想電子（zǐ）材料之一。與（yǔ）碳納米（mǐ）管的電子結構明顯依賴於管徑與螺旋度等因素不同，BN納米管通常表現出穩定一致的電學特（tè）性（xìng），在未（wèi）來的納（nà）電子學（xué）領域（yù）有著非（fēi）常誘人的應用前景。而實現BN納米管的摻雜，誘導（dǎo）其半導體特性，是實現該材料在納電子（zǐ）學領域應用的關鍵，也是研究者普遍（biàn）感（gǎn）興趣和追求目標。 最近，中國科（kē）學院物理（lǐ）所微加工實驗室的顧長誌研究員等人與日本物（wù）質材料研究機構（gòu）(NIMS)的同（tóng）事合作，采用化學（xué）氣相沉積方法，在生長（zhǎng）BN納米管的同時（shí）實現了（le）F的均勻摻雜，獲得（dé）了N型的BN半導體納（nà）米管。他們對F摻雜BN納米管的結構進行了係統表征，證明了這是一種穩定的摻（chān）雜結（jié）構。為實現對F摻雜BN納米管本征物性的研究（jiū），他們利用電子束光刻與（yǔ）Lift-off微加工技術，在分散（sàn）提純的單根F摻雜BN上製作出用於輸運性質測量的微（wēi）電極，研（yán）究了單根F摻雜BN納米管的電導特性，發現F摻雜實（shí）現了BN納米管從絕緣體向半導體的轉變，低於5%的F摻（chān）雜濃度使BN納米管的電導提高3個數（shù）量級以（yǐ）上。這一結果為采用（yòng）該（gāi）材料製作（zuò）納電子器件的研究奠定了基礎。該（gāi）成果發表（biǎo）在J. Am. Chem. Soc. 127，6552 (2005)上。