繼2004年7月率先在國內獲得光泵浦GaN基激（jī）光器受（shòu）激發射之後，日前，北京市2003年度科技計劃項目??“氮化（huà）镓基藍紫激光器的研製”再次（cì）獲得重大突破：首次（cì）實現了波長為405nm左右的電注入脊（jǐ）型波導GaN基（jī）激光二極管的受激發射，成為目前我國大陸實現的波長最短的半導體激光器，為我國在實（shí）現GaN基激光器零的突破方麵做出了重要貢獻。 　　自承擔課題任務起，北京大學針對寬禁帶半導體氮化镓基激光器的難點（diǎn），進行了氮化镓基激光器外（wài）延和器件結構的計算和優化設計、MOCVD外延生長和表征、器件微（wēi）加工技（jì）術和諧振腔結構等方麵的探索和（hé）研究，在GaN基材（cái）料係量子（zǐ）阱和超晶格與波導結構MOCVD生（shēng）長、窄波導激光二極管器件（jiàn）製備等關鍵性科學和技術問（wèn）題（tí）方麵取得（dé）一係列進（jìn）展（zhǎn）。特（tè）別是在GaN基結構的陰極熒光(CL)分析，氮化镓基激光（guāng）器腔（qiāng）鏡麵研（yán）究和應用(包括采用激光剝離技術獲得（dé）高質（zhì）量的氮化镓（jiā）基解理腔鏡麵以及基於光子晶體的諧振腔（qiāng）鏡麵)等有特色的研究方麵取得重要進展和突破。此（cǐ）次實現氮化镓（jiā）基激光二極管電注入激射（shè）時所用波段的激（jī）光正（zhèng）是用於下一代“藍光DVD”光盤（pán）係統的光源。目前，係統相關測試工作正在抓緊進行之中。 　　GaN 基激光器是波長最短的半（bàn）導（dǎo）體激光器（qì），波長為405nm範圍的藍-紫光GaN基激光（guāng）器是發展下一代大容量高密度光存（cún）儲信息技術的關鍵性器件。它在國防建設、生物、環境、照明、顯示、打印和（hé）醫療等領域，具有廣（guǎng）闊的應用前景和巨（jù）大的市場需求。