由中（zhōng）科院半（bàn）導體所和中科光（guāng）電有限公司共同承擔的國家“863”計（jì）劃光電子材料與器件（jiàn）主題項目“氮化镓基激光器”獲得重大突破，在中國（guó）大陸首次研（yán）製成功具有自主知識產權的氮化镓基激光器原型。該氮化镓基激光器采用在藍寶石襯底上外延的多量子阱增益波導結構, 激射波長為410nm,條寬5μm,條長（zhǎng）800μm,激射（shè）閾值50KA/cm2. 　　通過近三年上千爐的（de）MOCVD材料生長實驗和上百次（cì）的器（qì）件工藝實驗，課題組艱苦攻關,積極創新（xīn），攻克了氮化镓基激光器研究中材料生長、器件工藝、器件測試等一係列技術難（nán）題,將氮化镓材料本底（dǐ）電子濃度降到（dào）小於5X1016/cm3,室溫電子遷（qiān）移率達到（dào）850cm2/VS，進入世界先（xiān）進（jìn）行列。實現了AlGaN/GaN超晶格界麵平整度和應力的控製，獲得了粗糙度小於1nm的激光器腔麵。突破了氮（dàn）化镓基激光器的測試技術（shù）難（nán）題,研（yán）究開發了與該激光器配套的驅動技術,滿足了氮化镓基激光器的測試要求。 　　氮化镓基激光器是目前氮化镓基光電子材料（liào）與器（qì）件領（lǐng）域國際上競爭最激烈,技術難度最大,最（zuì）具挑戰（zhàn）性和標誌性的研究方向，這種短波長半導體激光器的研發已經（jīng）成為世界各國科學家研發的焦點和重點。