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納米半導體摻雜(zá)鋁大(dà)大提高導電性

發(fā)布時間:2013-05-20 作者: 來(lái)源:科技部 瀏覽:1697

      納米電子學又(yòu)前進了一步(bù)。一個德國馬(mǎ)克斯普朗克學會微結構物理學研究所參與的國際研究團隊發現了一個可以用來(lái)製作具有非常強導電性矽納米線的效應:利用鋁(lǚ)作為催化(huà)劑生成這類納(nà)米線。科學(xué)家們發現,矽在這一(yī)過程中吸(xī)收的(de)鋁,大(dà)大超過了他們的預期。摻雜的鋁含(hán)量高,改善了(le)納米線的導電性。這一效應可用來製造其他高摻雜性的(de)納米材料。
      科學家們發現,矽(guī)在這時候吸收的鋁甚至能超過熱力學定律允許的1萬倍。根據熱力學定律,矽晶體通(tōng)過摻雜被鋁原子取代(dài)的原子數連百萬分之一都不到。但事實上,經原子探針斷層掃描,該團隊的科學家發現,他(tā)們製作的摻雜鋁的矽納米線鋁(lǚ)含量高達約4%,而且鋁原子分布十分均勻。
      有(yǒu)關這(zhè)一發現的論文(wén)發表於2013年4月(yuè)4日的《Nature》。

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