據美國物理學家組織（zhī）網12月23日報道，美國得克薩斯A&M大學物理學家傑羅?斯納夫（fū）領導的一個國際科研小組在23日出版的《科學》雜誌上宣布，他們研製出了首個能在高溫下工作的自旋場效應晶體管（FET），該設備由電力控製，其功能基於（yú）電子的自旋，其中包含一個與門邏輯設備。新突破將給半導體納米電子學和信息技術領（lǐng）域帶來新氣象。
　　英國日立劍橋實驗室、劍橋大學、諾丁漢大學、捷克科學院和查爾（ěr）斯（sī）大學的（de）研（yán）究人員首次將自旋?螺（luó）旋狀態和異常（cháng）霍爾效應結合在（zài）一起，製造出了（le）這種自旋FET，其中（zhōng）包括一個與門邏輯設備，自旋FET的概念（niàn）於（yú）1989年首（shǒu）次提出，這是科學家首次在其中實現與門邏輯設備。