國家傳(chuán)感(gǎn)器科技攻關和技術發展 (2006-07-04)
發布時間:2007-12-04
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摘要“傳感器技術研究”是“九五”國家重點科技攻關項目。文中敘述了傳感器科技攻關在解決成果工程化、新產品開發和共性關鍵技術方麵所取得的主要成績,包括技術創新、中試生產和達到的技術水平(píng)。通(tōng)過(guò)科技攻關,提高了我(wǒ)國傳感器技術水平,促進了我國傳感器產業的發展。 1 引言
2000年(nián)6月12日,在國家科技部的組織下,“96-748傳感器技術研(yán)究”國家重點科技攻關項目進行了(le)項目驗收。與會專家聽(tīng)取了項目(mù)實施組的“項目執行自評估報告(gào)”後認為,“96-748傳感器技術研究”經過3年攻(gōng)關已經圓滿地完成國家攻(gōng)關項目(mù)規定的攻關目(mù)標、考(kǎo)核目標和研究內容。本項目共計投入經費6642.37萬元,國家撥款2500萬(wàn)元。投入科技人員468人/年。通過3年的攻(gōng)關,共計建成中試生產線12條,其中工程化課題建成(chéng)中(zhōng)試生產線9條,新產品開發課題建成中試生產線3條,使18個品種75個規格的新產品形成一定規模的中試生產;通過新產品開發(fā),開發了(le)力(lì)敏、磁敏、溫度(dù)、濕氣敏的51個品種86個規格的新產品(pǐn),90%的成果進行了(le)批量(liàng)或小批量生產並供應市場。傳感器的共性關鍵技術包括CAD技術、關鍵製造工藝、微機械加工技術、可靠性技術在生產中得到應用,攻關產品的(de)成品率普遍(biàn)提高10%以上,可靠性(xìng)水平提高1-2個等級,建成傳感器實驗室、試(shì)驗基地5個;據不完全統(tǒng)計,攻關3年累計銷售(shòu)各類傳感器1260多萬支,實現銷售收入14418多萬元,取得科(kē)研成果59項,總體水平達到國外九(jiǔ)十年代中期的先進水平。獲得國家專利32項(其中獲得和受理發明專利11項),在國內外各類期刊上發表學(xué)術論文和研究報告244篇,進行技術轉讓6項,取得(dé)較好的成績(jì)。
“九五”傳感(gǎn)器科技攻關的指導思想是:一個目標是提高傳(chuán)感器的技術水平、可靠性水平(píng)和產業(yè)化程度。二個轉變是向提高企業技(jì)術進步轉變,向提高市場占有率轉變。三個結合是共性關鍵技術與應用技術相結合,加快產業化(huà)進程;典型產品開發與產品係列化相結(jié)合;滿足市場需要;科(kē)研開發與成果工程化相結合,實現適度規模生產。
通過攻關(guān),在傳感器的關鍵製造工藝、新產品開發、科技成果的工程化等方麵提高了我國傳感器的(de)技術(shù)水平,促進了我國傳感器產業的形成,縮(suō)小了與世界先進水平的差距。 2 在技術上,取得(dé)一批具有自(zì)主知識(shí)產權的成果
通過攻關,在技術上有所創新,取得一批具有自主知識產權的(de)科技成果,主要是:
(1)複旦(dàn)大學發明的掩膜-無掩(yǎn)膜(mó)腐蝕工藝為國際首創。不僅在(zài)實驗上取得凸角處出現[311]麵的基本規律,理論上也推導(dǎo)出新的底(dǐ)麵條件和新生底麵深度和位置的公式,開創了用腐蝕技術製(zhì)造微結構的新工藝。利用KOH腐蝕液對於不同晶麵腐蝕速率的差異,在理論和(hé)工藝上解決了采用一次掩膜技術形成三維多層微(wēi)機械結構的工藝(yì),多層結構層差控製精度在4/μm以內(nèi),轉移平麵的平整度優於1/tm,受理一項發明專利。 (2)清華大(dà)學研製成功一種基於石英諧振器應變敏感效應的數字式力與稱(chēng)重傳感器。研究了敏感元件的力敏特性、諧振器的能(néng)陷(xiàn)效應與諧振頻(pín)率、諧波次數和結(jié)構的關係,保證了良好的頻率穩定性。研製(zhì)了專用膠粘劑,解決了影響傳感器蠕(rú)變和滯後性能的關鍵工藝,提高了傳感器性能指標及合格率。在國內外首創開發了係列化的下遊應用產品??各類(lèi)石英電子衡器。取得(dé)6項實用新(xīn)型專利、一項發明專利,受理4項發明專(zhuān)利。 (3)哈爾濱理工大學研製成功了"新型本(běn)征半導電高分子壓力溫度(dù)雙參數傳感器",首次合成聚省(shěng)醌自由基高(gāo)聚物,這是一種(zhǒng)壓(yā)敏係數和(hé)溫(wēn)度係(xì)數(shù)極高的高分子(zǐ)材料,過材料(liào)表麵處理(lǐ)等技術製成傳感器(qì),解決了(le)油井高溫潛油泵的溫度和壓力測量的難題。經過檢索表(biǎo)明,新型本征高分子壓(yā)力溫度雙參數傳感器為(wéi)國際首創(chuàng),已經受理一項發明專利。 (4)沈(shěn)陽(yáng)儀(yí)器儀表工藝研究所在國內首次(cì)解決了擴散矽力敏芯片溫度靈敏度自補(bǔ)償(cháng)工(gōng)藝。通過調整平麵工藝的(de)摻雜工藝參數,實現了在-30-80C的全溫區內,力敏芯片(piàn)的靈敏度溫(wēn)度漂(piāo)移控製在(zài)5%o之內(nèi),實現了擴(kuò)散矽力敏芯片的靈敏度溫度自補(bǔ)償。 (5)沈陽儀器儀表工藝研究所開發了高靈敏度InSb薄(báo)膜製備工藝,解決了高密度、高磁導率鐵氧體基(jī)底磨拋工藝,In、Sb單質(zhì)蒸鍍(dù)工藝,敏感磨(mó)層微米級減薄工藝(yì)以及提高(gāo)芯片靈敏度的摻雜(zá)工藝,研製的InSb薄膜完全能夠滿(mǎn)足製備高性能磁敏元件的需要。取得了兩項實用新型專利和發明專利。 3 在開發上,使一批市場急需(xū)的傳感器實現批量生產 “九五”國家傳感器科技攻關,對市場急需的(de)傳感器新產品進行了(le)工程化研究和開發。通過國家支持、單位自籌、成果轉讓、技術入股等(děng)方式,建成12條中試生產線,使一批科(kē)技(jì)含(hán)量較高的傳感器新產(chǎn)品實現適度規(guī)模(mó)的中試生產,主要(yào)有: (1)擴散矽壓力傳感器實現了3kPa~60MPa量程範圍內的多個品種和規格的批量生產,產品有:工業變送器用壓力傳感(gǎn)器,智能變送器用(yòng)多功能壓(yā)力(lì)傳感器,TO封裝和充油結構(gòu)的通用壓力傳感器。產品的性能指標(biāo),包括短期穩定性、長期穩定性、可(kě)靠(kào)性(xìng)都達到國(guó)外同類產(chǎn)品的水平,開始批(pī)量供應市場。可以說,通過攻關,沈陽儀器儀表工(gōng)藝研究(jiū)所(suǒ)的擴散矽傳感器(qì)的(de)製造(zào)工藝(yì)已經(jīng)成熟。並且在(zài)國內首次實現采用微機械加工的基本工藝,批量生產(chǎn)各類擴散矽壓力傳感器。 (2)石英諧振稱重傳感器在(zài)清華大學研製成(chéng)功,並開發成功1~15kg的各(gè)種電子衡器。多方投(tóu)資1668萬元(yuán),在(zài)深圳建立深圳清華(huá)傳感器設備有限公司,進行批量中試生產,建成年產100萬支石英諧振稱重(chóng)傳感器和20萬台電子衡器的(de)中試生產線,產(chǎn)品大部分出口國外,2000年僅香港手(shǒu)提(tí)稱和(hé)配料稱的定(dìng)單已有800萬(wàn)美元,2000年預計達(dá)到3000萬元的銷售收入。取得11項實用新(xīn)型(xíng)專利和發明專利。 (3)華中理工大(dà)學研製成(chéng)功高壓(yā)係列和低壓係列4個品種的(de)過載保護(hù)PTC熱敏電阻,並以技術入股的方式(25%),在武漢高新技術開發區(qū)成立湖北中幫傳感器公司,投資980萬元(yuán),建立年產2000萬支的生產線,建(jiàn)成後產值將達到5000萬元。同時,該(gāi)技術在上海兆和公司進行了1000萬(wàn)支的中試生產,產品主要用於程控交換機和電機的過載保護。 (4)中科院新(xīn)疆物理所開發(fā)的小型和(hé)超小型NTC熱敏電阻在一致性(xìng)、可靠性和性能價格比上與韓國、日本產品相當,在家電和糧庫行業占有較大的市場份額。在新疆(jiāng)傳感器公司建成小(xiǎo)型和超小型NTC熱敏電阻中試生產線,1999年的銷售數量110萬支。 (5)InSb霍爾元件經過"八五"和"九(jiǔ)五"科技攻關,解決了從芯片(piàn)製造到封裝等一係列(liè)技術關鍵,打破了日本旭化成公司的技術壟斷,實現了InSb霍爾元件的(de)批(pī)量生產,產品性能達到日本旭化(huà)成公司產品的水平,並(bìng)在沈陽儀器儀表工藝研究所和南京中旭(xù)微電子(zǐ)公司進行批量生產,最近南京中旭微電子公司將與台灣一公司進行合資,擴(kuò)大(dà)規模,最終建成年產(chǎn)1億支(zhī)的生產能力。 (6)中科院合肥智能機械研究所開發的厚膜壓力傳感器,經過工程化研究,在南京中旭微電子公司建成年產5萬支的厚膜(mó)壓力傳感器中試生產線,壓(yā)力範圍為0.02~40MPa,產品在工業控製領域得到應用。 (7)ct-Fe203氣敏傳感器和家用(yòng)氣體報警器,在(zài)信息產(chǎn)業部49所和大慶泰科傳感器公司(sī),建成年產100萬支的生(shēng)產線,並通過(guò)了ISO-9001質量體係(xì)認證。產品在家電和環(huán)保(bǎo)行業得(dé)到應用。 (8)在高溫壓力傳感器方麵,開發了SiO、多晶矽、SiC三種高溫壓力(lì)傳感器。使矽壓阻壓力(lì)傳感器的工作溫區由-30~80C拓展到22013,用於油井的高溫壓力測量。經過油田使用證明,該三種高溫壓力傳感(gǎn)器性能良好,並出口國外。 (9)高溫矽(guī)霍爾集成開關的研製成功(gōng),使矽集成霍爾開關的最高工作溫度(dù)由120C提高到15013,並在南京中旭微電子公司進行批量(liàng)生產,每年有10多萬支應用於(yú)汽車點火器(qì),效果良好。 (10)低功耗和低(dī)濃度CO、S02、N02等氣體傳感器開發成功,在環保領域有廣闊的應用(yòng)前景,中科院長春應用化學研究所的科技成果已(yǐ)經轉讓到台灣茂發科技公司,進行批量生產。 4 共性關鍵技(jì)術研究提高了傳(chuán)感器行業的技術水平
“九五”國家傳感(gǎn)器科技攻關,在(zài)共性關鍵技術方麵,主要解(jiě)決了傳感器CAD應用技(jì)術,關鍵(jiàn)製造工藝技術,微機械加工應用技術(shù)和可靠性技術的研究,並在傳感器生產中得到(dào)應用和推廣。 (1)傳感器CAD設計應用技術研究使擴(kuò)散矽壓力傳感器(qì)、差壓傳感器、多功能壓力傳感器、加速度傳感器(qì)、霍爾磁敏元件和應變式傳感器實現了CAD設(shè)計。從應力分析、版圖設計、結(jié)構分析、圖紙設計(jì)都實現計算機化(huà)。設計結果在生產工藝線得到實驗驗證,總符合率達到(dào)80%.力敏器件的平(píng)麵工藝進行計算機模擬(nǐ),確定了平(píng)麵工藝中擴散、離子注入、氧化、再擴散等關鍵製造工藝的計算機模擬程序。提高了傳感器的設(shè)計水平和新產品(pǐn)的自主開(kāi)發能(néng)力。 (2)擴散矽4"芯片生產工(gōng)藝(yì)研究在國內實現擴散矽傳感器用4"矽片工藝進行生產,通過調整工藝參數,使矽壓阻傳(chuán)感(gǎn)器的(de)靈敏度溫度漂移在-30-80℃的全溫區內控製在0.5%FS之內,實現了靈敏度溫度漂移免補償。通過傳感器性能參數穩定性的研究,使傳感器的100h短期穩定性達到5ttV之內,保證年長期穩定性達到0.2%FS,達(dá)到國外同類產品(pǐn)的先進(jìn)水平。批量生產的4"矽片的矽壓阻芯片,管芯最小麵積(jī)為1.2×1.2(mm),合格率達85%. (3)InSb薄膜工(gōng)藝技術研究解決了(le)用In、Sb單質蒸鍍工藝,在磁性和非磁性基底上替代InSb單晶蒸鍍製作多晶膜(mó)的工藝技術,降低了(le)成本(běn),提高了成品率。同(tóng)時采用選擇性濕法刻蝕工藝,特別(bié)是InSb-Au歐姆接觸膜層的(de)選擇性刻蝕工藝製作電極。工(gōng)藝成品率達到60%以上。用該InSb薄膜開發(fā)了3個品種13個規格的InSb霍爾元件,並進行批量生產。 (4)在新(xīn)型氣濕敏超細(xì)粉料的研製方麵,通過(guò)攻關,開發了Zr02-Y20,濕敏材料和NaSiCON固(gù)體電解質材料,應用這些(xiē)材料,研製了400C的高溫(wēn)濕度傳感器和(hé)平麵內加熱(rè)式C02氣敏元(yuán)件。 (5)化學腐蝕、電化學腐蝕、Si-Si鍵合等微機械加212/12藝(yì)在傳感器批量生產中(zhōng)得到(dào)應用。成功地應用於10kPa~60MPa傳感器的批量生產中,腐蝕矽膜片(piàn)的(de)最小厚度達到10/tm,精度控(kòng)製在10%之(zhī)內。目前,沈陽儀器儀表工藝研究所擴散矽壓力傳感(gǎn)器的敏(mǐn)感膜片全部由精密化學腐蝕、大片靜電封接、矽-矽鍵合(hé)等MEMS工藝完成。腐(fǔ)蝕(shí)和封接(jiē)工藝的成品率達(dá)75%.在國內首次實(shí)現了擴散矽壓力傳感器用微機械(xiè)加TT藝(yì)進行批量生產(chǎn)。 (6)通(tōng)過傳感器可(kě)靠性技術研究,完成了傳感器綜合應(yīng)力試驗,製定了綜合應力試(shì)驗的(de)技術(shù)規範(fàn),使PTC、NTC熱敏電阻、擴散矽(guī)壓力傳感器、InSb霍爾元件的可靠性壽命試驗時(shí)間由1年左右縮短到(dào)1~2個月,可靠性試驗技術有了較大的提高。通過(guò)可靠性增長技術研究,使企(qǐ)業批量生產的DL93、SG75擴散矽壓力傳感器、石英諧振稱重傳感器、PTC熱敏電(diàn)阻、NTC熱敏電阻、InSb霍爾元(yuán)件、a-Fe203氣敏(mǐn)元件、廉價濕度傳感器(qì)的可靠性指標提高1--2個數(shù)量級。 5 結束語 可以看出,“九五”傳感器科技(jì)攻關麵向(xiàng)市場需(xū)求,麵向經濟建設(shè)需要,在提高我國傳感器的技術水平和產業(yè)化(huà)程度方麵取得了較大(dà)成績,起(qǐ)到了(le)科技成果產業(yè)化的孵化器(qì)的作用,促進了我國傳(chuán)感器技(jì)術水平的提高,加快了科技成果產業化的進(jìn)程。 21世紀,人類全麵進入信息電子化的時代。敏感(gǎn)元件及(jí)傳感器是(shì)信息係統的關鍵基礎元器件。微電子和(hé)微機械加工等先進製造技術(shù)的使用,使傳感器技術(shù)迅速發展。與傳統(tǒng)的傳感器相比,最新一代敏感元件及傳感器的突出(chū)特征是(shì)數字化、智能化、陣列化、微小型化和微係統化(huà)。作為現代信息技術的三大(dà)核心技術之一的傳感器(qì)技(jì)術,將是21世紀人們在(zài)高新技術發展方麵爭(zhēng)奪的一個製高(gāo)點。因此我們必須重(chóng)視傳感器技術的發(fā)展,加快產業化的進程(chéng)。