納米級超薄（báo）硒化銦是一種具（jù）有（yǒu）獨特性能的類石墨烯新半導體材料，其（qí）厚度從一層（~0.83 nm）到幾十層不等。這種新半導體材料的電學和光（guāng）學性能研究是在2010年物理（lǐ）學諾（nuò）貝爾獎得主（zhǔ）?英國曼徹斯（sī）特大學教授安德烈（liè）?海（hǎi）姆的（de）實驗室進行的。近日烏克蘭和英國科學家在《Nature Nanotechnology》雜誌上發（fā）表聯合文章（zhāng）《高電子遷移率、量子霍爾效應（yīng）和納米級超薄（báo）硒化銦中的異常光學響應》，認為硒化銦的實際應用有可能導致納米電子學的革命。

    石墨烯是由一層碳原子組（zǔ）成，與石墨烯不同，硒（xī）化銦是銦原子（In）和硒原（yuán）子（Se）的二元化合物，厚度為四個原子，原子排（pái）列順（shùn）序為（wéi）Se-In-In-Se。

    該種半導體材（cái）料的（de）納米膜是從與石墨烯（xī）結構相類似的硒化銦（yīn）層狀晶體（tǐ）大量錠（dìng）中得到。2013年科學家們首次從硒化銦層狀晶體中剝離原（yuán）子薄膜，2016年研究出這種材料厚度從1個納米（mǐ）到幾個納米的光學和電學性能。通過烏克蘭和英國科學（xué）家的聯合研究，硒化銦層狀晶體成功剝離至單（dān）層狀態。有趣的是，正如2004年首次（cì）獲得石墨烯一樣，剝離硒化銦的其餘層也是使用的普通膠帶。

    科學家們發現，這種材料的超薄納米層具有定性區別（bié）於其它類石墨烯二維（2D）晶體的獨（dú）特性能。因此，獲（huò）得的硒化銦（yīn）樣品（pǐn）中，電子的遷移率（即（jí）速度）很高，尤其是與二硫化鉬和二硒化鉬相比，這個參數值很高。這一重要特性使得其在提（tí）高設備性能方麵顯得尤為重要。

    烏（wū）克蘭國家科學院物（wù）理和數學研究所切爾諾夫分院的研（yán）究團隊是烏克蘭（lán）為數不多的係統從（cóng）事類石墨烯二維（2D）晶體研究的團隊，他們還積極開展新功能混合範德華納米（mǐ）異質結構研究，特別是與其它所有（yǒu）已知的類石墨烯2D晶體相比，納米異質結構石墨烯/多層硒化銦光敏（mǐn）性記錄值（zhí）特點明顯（可達 105 A/W，當 λ = 633 nm時）。