傳統存儲器件僅能存儲“0”、“1”兩（liǎng）位值，而美國賓（bīn）夕法（fǎ）尼亞大學研究人員研（yán）製的（de）一種以（yǐ）納米線為基礎的新型信息存儲器件卻能存儲“0”、“1”和“2”3位數值。這一創造可能催生新一代高性能信息存儲（chǔ）器（qì）。相關研究發表在近日《納（nà）米快報》在線版上。
 
　　賓夕法尼亞（yà）大學工程與應用（yòng）科（kē）學係助理教授裏奇?阿加沃稱：“用納（nà）米線製造電子存儲器有很多優點，類似於我們製造的非二進製形式的納米線存儲器可能會使（shǐ）未來存儲器件的存儲密（mì）度大大增加。”
 
　　與以晶體管為基礎（chǔ）的傳統（tǒng）存儲器一樣，以（yǐ）納米線（xiàn）為基礎的傳統存儲（chǔ）器一直以二進製為（wéi）發展方向。而以納米線為基礎的非二進製存儲（chǔ）器存（cún）儲密度更（gèng）大，用更少（shǎo）的納米線就可獲得驚（jīng）人的存儲（chǔ）能力（lì）。這將使（shǐ）需要（yào）具有存（cún）儲能力的電子器（qì）件，也幾乎是所有電（diàn）子器件，變得更加緊湊。另外，更少（shǎo）的納米線也意味著（zhe）製造工藝會更（gèng）加簡單。
 
　　研究人員所使用的納米線具有一種“核殼”結構，它恰似同軸電纜，由兩種相變材料組成。納米線的中心部位是鍺/銻/碲化合物，而圓柱殼由碲化鍺組成。
 
　　存儲過程中的相變通過向納米線施加脈衝電場獲得。這一過程（chéng）會加（jiā）熱納米線，使其核心和殼結構由晶態（有序）變為非晶（jīng）態（無序（xù））。這兩種狀態對應（yīng）著兩種（zhǒng）不同的電阻：低（dī）電阻與核（hé）心和殼結構同處晶態相對應（yīng）；高電阻與它（tā）們同處非晶態相對應。而這些電阻（zǔ）又代表著3位值中的兩位。
 
　　第（dì）三種（zhǒng）則與納米線核心部位（wèi）處（chù）於非（fēi）晶態，而殼結構處於（yú）晶態（或與此（cǐ）相反）相對應，其結果是產生位於高電阻和低電阻之間的（de）中間電阻。
 
　　納米（mǐ）線（xiàn）是很好（hǎo）的信息存儲介（jiè）質，可通過改變其直徑及其他可控性能來獲得優越的存儲效（xiào）果。另外，在製造技術上，還能采用“自下而上”的（de）方式將納米線製成信息（xī）存儲器，即（jí）利用微小結構（gòu）的自然特征，使（shǐ）其自組（zǔ）裝成（chéng）較大的結構。這種（zhǒng）方法（fǎ）可以打（dǎ）破傳統（tǒng）“由上而（ér）下”製造（zào）方法（fǎ）所麵臨的限製，例如通過堆積納米線薄膜將電路複製到矽晶片上（shàng）的方法。
 
　　阿加沃和他的同事們計劃在未來繼續探討納（nà）米線規格及其化學成分可能對其（qí）電子性能（néng）的影響，藉此發現可（kě）能具有全新特征的電子器件（jiàn）。