電（diàn）腦芯片中的元件（jiàn）有的僅僅隻有40納米，還不到人頭發絲的千分之（zhī）一。這些元件在美國（guó）國家標準技術研究所的物理（lǐ）學（xué）家、工程師、統計學家和其它有（yǒu）關人員不懈的努力下已經可以被精確的標度和校（xiào）準，使得電子電路的生產更加現代化。 美國國家標準技術研究所研究（jiū）的這種新型測量方法曆時四年研究而成，通過測量原子衍射電子產生的間距的算法,算出元件的（de）直徑，提供了一種（zhǒng）測量嵌入式芯片中的精密線（xiàn）形元件的方（fāng）法。40納米至275納米的植入晶（jīng）體矽（guī）中（zhōng）的元件都可以用此方法進行測（cè）量。生產商可以用這種校準方法校準微處理器的電子電路，比如（rú）芯片中控製電子流動部分的元器件（jiàn）。 研究所參與研究的一位研究員Richard Allen說（shuō）道，在半導體行業中，必須全力以赴才能保持生存。這項研究就是為了測量線性材料而開展的。 這種新（xīn）型的參考（kǎo）標準測量物被安置在晶體矽片中，經過同國家標準技術研究所2001年生產的樣本進行對（duì）比發現（xiàn），這種新的標準測（cè）量物提供了更寬的測量範圍，能測量的元器件更細小。測量精（jīng）度也從原（yuán）來的14納（nà）米提高為小於2納米。在這種新的標準測量物問世以前，各（gè）個生產公司都是通過各自內部的標準進行測量的。 在加州聖何塞舉辦的國際社會（huì）光學工程會議上，國家標準技術研究所、SEMATECH公司將正式向社會公布此項（xiàng）成果（guǒ）。